判斷題假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。

您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

2.多項(xiàng)選擇題當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()

A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET

3.多項(xiàng)選擇題?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?

A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低

4.多項(xiàng)選擇題

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

A.狀態(tài)1:飽和區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
B.狀態(tài)1:截止區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
C.狀態(tài)3:變阻區(qū);狀態(tài)4:飽和區(qū)
D.狀態(tài)3:飽和區(qū);狀態(tài)4:變阻區(qū)

最新試題

用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?

題型:多項(xiàng)選擇題

?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???

題型:判斷題

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器,若采樣時(shí)間0.01s,那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號(hào)處理系統(tǒng)的最后一級(jí)??()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CD放大器因?yàn)樵礃O輸出信號(hào)幾乎與柵極輸入信號(hào)變化一致,因此被稱為“源極跟隨器”。

題型:判斷題

?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

?若某放大器的輸入信號(hào)為電壓信號(hào),輸出信號(hào)為電流信號(hào),則以下描述正確的有()。?

題型:多項(xiàng)選擇題