A.CS組態(tài)
B.源極帶電阻的CS組態(tài)
C.CG組態(tài)
D.CD組態(tài)
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A.不太高的電壓增益
B.較高的輸入電阻
C.較高的輸出電阻
D.較高的帶寬
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。
?
A.10
B.15
C.12.5
D.8
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
A.不變，增大，增大
B.不變，減小，減小
C.增大，減小，不變
D.增大，不變，減小
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
A.增大，不變，減小
B.不變，增大，不變
C.不變，不變，減小
D.增大，不變，增大
A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低
最新試題
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
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假設NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
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