A.過程描述方式
B.行為描述方式
C.數(shù)據(jù)流描述方式
D.尋跡描述方式
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A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
A.A =1，B =0，D =0
B.A =0，B =1，D =1
C.A =1，B =1，D =0
D.A =0，B =1，C =1
?某次電路實驗中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
A.高電平，高電平
B.低電平，高電平
C.高電平，低電平
D.低電平，低電平
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點向漏極移動。
在對數(shù)字鐘計時、校時模塊進行仿真時，設(shè)秒信號的周期為10ns，若要觀察24時制計數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號無效，計時使能信號有效的情況下，仿真需運行多長時間？（）
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
?verilog語法中，間隔符號主要包括（）。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有（）。