?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。

?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???

已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。

?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是（）。

假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動。

?6位7段數(shù)碼管動態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號的動態(tài)掃描時鐘信號頻率約為多少？（）

?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。

?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。

現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。

?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）