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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
最新試題
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會（），漏極直流電流將會（），輸入電阻將會（）。
?6位7段數(shù)碼管動態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號的動態(tài)掃描時(shí)鐘信號頻率約為多少？（）
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時(shí)鐘信號頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號，請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
以下哪個(gè)MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
?CG放大器的性能描述合理的是（）。