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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
最新試題
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
CD放大器因為源極輸出信號幾乎與柵極輸入信號變化一致，因此被稱為“源極跟隨器”。
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?若某放大器的輸入信號為電壓信號，輸出信號為電流信號，則以下描述正確的有（）。?
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會（），漏極交流電壓將會（），增益將會（）。
?10進制計數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
?某次電路實驗中，一同學按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時鐘信號頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時鐘信號頻率為1Hz，若采用計數(shù)器對100MHz的外部時鐘分頻得到1Hz的秒信號，請問該計數(shù)器至少需要多少位？（）