A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
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電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉
A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
最新試題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?CD放大器的性能特征有（）。?
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
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已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
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