A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
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已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
A.狀態(tài)1:飽和區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
B.狀態(tài)1:截止區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
C.狀態(tài)3:變阻區(qū);狀態(tài)4:飽和區(qū)
D.狀態(tài)3:飽和區(qū);狀態(tài)4:變阻區(qū)
A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
電路如圖所示,要使得晶體管工作在飽和區(qū),且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,k′n=100μA/V2,忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),則電阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
A.1
B.2
C.3
D.4
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時,溝道夾斷點向漏極移動。
當(dāng)VGS=0時,能夠?qū)ǖ腗OS管為()
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()
?某次電路實驗中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實驗。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實驗過程中,該同學(xué)觀測到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用,和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有()。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
?verilog語法中,間隔符號主要包括()。
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
?CD放大器的性能特征有()。?