A.死區(qū)電壓為0.1V,正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V,正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V,正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V,正向?qū)妷簽?.9V
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A.PN結(jié)面積小,適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大,適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小,適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大,適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中,正確的是()。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高,N端電位低
B.N端電位高,P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
最新試題
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有()。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時鐘信號頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時鐘信號頻率為1Hz,若采用計數(shù)器對100MHz的外部時鐘分頻得到1Hz的秒信號,請問該計數(shù)器至少需要多少位?()
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
以下哪個MOS放大器組態(tài)結(jié)構(gòu)最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級??()
?某次電路實驗中,一同學(xué)按如下電路圖連接電路,完成實驗。其中D0,D1端為輸入端,S0與S1為輸出端。在實驗過程中,該同學(xué)觀測到輸出端S0,S1端輸出電平分別為邏輯高電平,邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0,D1電平可能分別為()。
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象?()
?CD放大器的性能特征有()。?
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義,VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是()。