單項選擇題探頭的近場長度由下式決定(式中λ波長,f頻率,D晶片直徑)()。

A、N=1.22λ/D
B、N=D/4λ
C、N=D2/4λ
D、N=2/D


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2.單項選擇題如果探測面毛糙,應該采用()。

A、不太高頻率的探頭
B、較高頻率的探頭
C、硬保護膜探頭
D、大晶片探頭

3.單項選擇題用單探頭法,要發(fā)現(xiàn)與聲束取向不良的缺陷,應采用的探頭頻率()。

A、愈高愈好
B、愈低愈好
C、不太高
D、較尋常時取高值

4.單項選擇題用單探頭法探測二個表面平整、但與入射聲束取向不良的缺陷(二缺陷的取向相同且無工件界面的影響),它們的當量()。

A、面積大的,當量也一定大
B、面積大的,當量不一定比面積小的大
C、面積大的,當量反而比面積小的小
D、相等

5.單項選擇題探測厚焊縫中垂直于表面的缺陷最適用的方法是()。

A、聚焦探頭
B、直探頭
C、斜探頭
D、串列雙斜探頭