A、燒結普通磚
B、燒結多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
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A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強度/五個對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強度/五個碳化后試件的平均抗壓強度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強度/五個飽水面干試件的平均抗壓強度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
改良西門子法的顯著特點不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。