A、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
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A、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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A、1%
B、2%
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
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