單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干密度和含水率試驗(yàn)時(shí)需將試件烘至恒質(zhì)(M0),恒質(zhì)是指在烘干過(guò)程中間隔(),前后兩次質(zhì)量差不超過(guò)試件質(zhì)量的0.5%。

A、1h
B、2h
C、3h
D、4h


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3.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)中進(jìn)行干密度、含水率和吸水率等試驗(yàn)時(shí)試件尺寸為()的正立方體。

A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm

4.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法(GB/T11969-2008)標(biāo)準(zhǔn)適用于()

A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚

最新試題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

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可用作硅片的研磨材料是()

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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()

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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

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硅片拋光在原理上不可分為()

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