單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊按強度和干密度分級，強度級別有（）個，干密度級別有（）個。
A、7.6
B、6.7
C、6.5
D、5.6
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1.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中規(guī)定，輕集料混凝土小型空心砌塊應(yīng)在廠內(nèi)養(yǎng)護（）齡期后方可出廠。
A、3d
B、7d
C、14d
D、28d
2.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中規(guī)定，輕集料混凝土小型空心砌塊強度檢驗砌塊數(shù)量為（），密度檢驗砌塊數(shù)量為（）。
A、10.5
B、10.3
C、5.3
D、5.5
3.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中輕集料混凝土小型空心砌塊的除放射性核素限量試驗外其他各項性能指標的試驗應(yīng)按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標準都不對
4.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中輕集料混凝土小型空心砌塊的相對含水率為輕集料混凝土小型空心砌塊（）。
A、出廠含水率與吸水率之比
B、含水率與吸水率之比
C、高溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
D、低溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
5.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中規(guī)定輕集料混凝土小型空心砌塊的吸水率應(yīng)不大于（）。
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題