與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

PN結(jié)的基本特性是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）