A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
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A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、85%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
D、80%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列是晶體的是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()