A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評(píng)定試件
D、吊裝試件
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A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時(shí),宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時(shí),應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時(shí)間段交替泵送不同強(qiáng)度等級(jí)砼時(shí),輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級(jí)砼
A、炎熱天氣時(shí),砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時(shí),宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí),宜對(duì)金屬模板進(jìn)行澆水降溫,但不得留有積水
D、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí),宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
A、采用機(jī)動(dòng)翻斗車或手推車運(yùn)輸砼時(shí),道路應(yīng)整平
B、采用攪拌罐車運(yùn)輸砼時(shí),卸料前應(yīng)采用快檔旋轉(zhuǎn)攪拌罐不少于20s
C、因運(yùn)輸時(shí)間長造成拌合物流動(dòng)度損失過大時(shí),可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時(shí),砼運(yùn)輸應(yīng)保證砼連續(xù)泵送
A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時(shí)間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時(shí),拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。