A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
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A、強(qiáng)度等級相同
B、強(qiáng)度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強(qiáng)度檢驗相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計強(qiáng)度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
硅片拋光在原理上不可分為()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()