A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
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A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
A、同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。