A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個(gè)試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時(shí)，此次試驗(yàn)無效。
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A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后，拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外，應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水，可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜，并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束，以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開始后60min內(nèi)，每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
A、若三個(gè)試樣測值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的10%，取中間值。
B、若三個(gè)試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的10%，本次試驗(yàn)無效。
C、若三個(gè)試樣測值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過中間值的15%，取中間值。
A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中，做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí)，振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止，不得過振
C、同一試驗(yàn)，整個(gè)貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
硅片拋光在原理上不可分為（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）