A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時(shí)間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
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A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時(shí),此次試驗(yàn)無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、試樣筒裝樣搗實(shí)后,拌合物表面應(yīng)低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應(yīng)始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側(cè)墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗(yàn)結(jié)束,以免造成擾動(dòng)
D、從計(jì)時(shí)開始后60min內(nèi),每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。