A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。