A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體
A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()