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最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()