A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體
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D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級(jí)
D、靜力受壓彈性模量
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()