用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

下列是晶體的是（）。 

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。