IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。