化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）