芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。