問答題列舉出你見到的、想到的不同類型的集成電路及其主要作用？
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1.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
2.多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
3.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
4.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
5.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
6.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
8.單項(xiàng)選擇題下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
9.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。
A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
10.單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
A.掩膜版
B.對準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠
最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題