集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。