判斷題高密度等離子體刻蝕機(jī)是為亞0.25微米圖形尺寸而開發(fā)的最重要的干法刻蝕系統(tǒng)。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。
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集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}