單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為()。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測(cè)試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層,墊層厚度可?。ǎ?/a>
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開(kāi)鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為()皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機(jī)額定行程是()。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每()校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題