A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
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A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測(cè)試結(jié)果
D、保證方便
A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴(kuò)建前的專門鑒定
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m;
B、同一墻體上測(cè)點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè),測(cè)點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測(cè)或砌體抗剪強(qiáng)度檢測(cè)一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
下列是晶體的是()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()