A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測(cè)試結(jié)果
D、保證方便
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A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴(kuò)建前的專門鑒定
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m；
B、同一墻體上測(cè)點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè)，測(cè)點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測(cè)或砌體抗剪強(qiáng)度檢測(cè)一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強(qiáng)度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。