A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
A、屈服強度
B、極限抗拉強度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強度
A、塊體與砂漿的強度等級
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強度
B、低收縮
C、慢硬、晚強
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴禁擾動試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動現(xiàn)象時,應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()