A、靜力安全鑒定及危房鑒定
B、抗震鑒定
C、大修后的可靠性鑒定
D、房屋改變用途、改建、加層或擴建前的專門鑒定
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A、槽間砌體每側的墻體寬度應不小于1.5m；
B、同一墻體上測點數不宜多于1個，測點數量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
A、不離析
B、不泌水
C、強度高
D、施工性能好
A、水泥
B、鈣質消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）