A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
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A、一般情況下,用理論方法計算,即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實(shí)測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實(shí)測破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。