那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）