雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

PN結(jié)的基本特性是（）

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；