可用作硅片的研磨材料是（）

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。