A.因?yàn)槭请娮用}沖電離室,電路成型過程也有隨機(jī)性引入
B.電離效應(yīng)產(chǎn)生載流子會(huì)引入隨機(jī)性
C.設(shè)計(jì)更精密的探測器可以消除能譜峰的離散
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A.中央電極絲可以是陽極也可以是陰極
B.不均勻電場的引入是為了降低電離位置對脈沖信號幅度的影響
C.電位設(shè)置、電離室半徑、中央電極絲半徑?jīng)Q定雪崩的大致范圍
D.內(nèi)部漂移電場是不均勻的
A.離子脈沖電離室能準(zhǔn)確測量入射粒子能量
B.離子脈沖電離室不能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
C.電子脈沖電離室沒有高信噪比
D.電子脈沖電離室能實(shí)現(xiàn)高計(jì)數(shù)率
A.電子離子對一旦形成,立即就有輸出電流信號
B.電壓脈沖的上升時(shí)間為電子電流的持續(xù)時(shí)間
C.電離室輸出電流中包含快成分與慢成分
D.快成分與慢成分的比例與電子離子產(chǎn)生位置有關(guān)
A.離子脈沖電離室能夠收集所有電荷,所以實(shí)用性很高
B.離子脈沖電離室的電壓脈沖寬度為μs級
C.電子脈沖電離室不能夠收集所有的電荷
D.電子脈沖電離室電壓信號幅度與電子離子對產(chǎn)生位置無關(guān)
A.輸出總電荷量Q=Ne=eE/W
B.外電路的電流形狀有兩個(gè)平臺(tái),一個(gè)高而短,一個(gè)低而長
C.電壓信號形狀與電子離子對產(chǎn)生位置無關(guān)
D.電流信號形狀與電子離子對產(chǎn)生位置有關(guān)
最新試題
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測方法?()
測量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射,下列說法錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于加速器中子源,描述錯(cuò)誤的是()。
下列對真偶符合比的描述正確的是()。
軔致輻射對γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
測量厚樣品α源,下列說法正確的是()。
吸收和散射對探測器活度測量也有影響,下列說法錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。