芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）