問答題

某有限公司為大幅度降低噸銅成本、增加效益、充分挖掘潛力和利用閃速爐首次冷修的良機，決定進行擴建改造工程，將銅的產量由15萬t/a提高到21萬t/a。其中：陽極銅產量由15萬t/a提高到21萬t/a，其中，19萬t/a陽極銅生產陰極銅，2萬t/a陽極銅作為產品直接外銷；陰極銅產量由15萬t/a提高到19萬t/a；硫酸（100%硫酸）產量由49.5萬t/a提高到63.4萬t/a。改擴建工程內容包括閃速爐熔煉工序、貧化電爐及渣水淬工序、吹煉工序、電解精煉工序、硫酸工序五個工序的改擴建。擴建改造工程完成后，硫的回收率由95.15%增至95.5%，SO2排放量由2131t/a降至1948t/a，煙塵排放量由139.7t/a降至133t/a；廢水排放總量為375.4萬t/a，廢水中主要污染物為Cu、As、Pb。工業(yè)水循環(huán)率由91.7%增至92.5%。改擴建工程完成后，生產過程中的廢氣主要來源于干燥尾氣、環(huán)保集煙煙氣、陽極爐煙氣、硫酸脫硫尾氣（通過環(huán)保集煙罩收集閃速爐等冶金爐的泄漏煙氣）4個高架排放源。其污染源主要污染物排放情況見表1。項目冶煉過程中產生水淬渣、轉爐渣；污酸、酸性廢水處理過程中產生含砷渣、石膏、中和渣。中和渣浸出試驗結果見表2。

計算環(huán)境空氣評價等級、確定評價范圍和環(huán)境空氣現(xiàn)狀監(jiān)測點數(shù)。各污染源SO2最大地面濃度及距離詳見表3。


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1.問答題

順達公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內建設一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A設施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設計處理能力為10萬m3/d，實際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質標準應當滿足《污水綜合排放標準》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標準（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產以硅片為基材，經氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學鍍等工序得到最終產品。其中摻雜工序和化學鍍工序流程如圖1所示。經過工程分析可知，擬建項目在生產過程中產生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學鍍廢水將經過預處理后進入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠藴省罚℅B14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

評價本工程熱交換吹脫法除氨廢氣達標情況，給出廢氣排放的控制措施。
3.問答題

順達公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內建設一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A設施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設計處理能力為10萬m3/d，實際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質標準應當滿足《污水綜合排放標準》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標準（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產以硅片為基材，經氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學鍍等工序得到最終產品。其中摻雜工序和化學鍍工序流程如圖1所示。經過工程分析可知，擬建項目在生產過程中產生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學鍍廢水將經過預處理后進入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠藴省罚℅B14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

根據(jù)項目廢水預處理方案，判斷電子元器件公司廢水能否納入開發(fā)區(qū)污水處理廠？并說明理由。
4.問答題

順達公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內建設一座電子元器件廠。該省級開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng)，其他環(huán)?；A設施也較完善，目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設計處理能力為10萬m3/d，實際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L，其他水質標準應當滿足《污水綜合排放標準》（GB8978-1996）表1及表4三級排放標準（氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L）。電子元器件生產以硅片為基材，經氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學鍍等工序得到最終產品。其中摻雜工序和化學鍍工序流程如圖1所示。經過工程分析可知，擬建項目在生產過程中產生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學鍍廢水將經過預處理后進入中和池，中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，廢水預處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產生的清洗廢水中含氨量為0.02%，為降低廢水中氨的濃度，擬采取熱交換吹脫法除氨，氨的吹脫效率80%，吹脫出的氨經15m高排氣筒排放?！稅撼粑廴疚锱欧艠藴省罚℅B14554-93）中規(guī)定：15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

給出摻雜工序和化學鍍廢水、廢氣的特征污染因子。