熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）