最新試題
PMOS的基底是p型半導體,所以叫PMOS。
磁滯回線
TEM觀測與SEM相同,對樣品厚度沒有要求。
MOS管是一種電流型半導體器件,BJT是一種電壓型半導體器件。
本征吸收
光生伏特效應
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時,其()的pn結上的電壓方向是反向偏置的
陰極射線致發(fā)光
光電導效應