AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

陰極射線(xiàn)致發(fā)光

光生伏特效應(yīng)

內(nèi)光電效應(yīng)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)