當(dāng)原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
原子在沒有外界干預(yù)的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
本征半導(dǎo)體中摻入少量五價元素構(gòu)成。
當(dāng)T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
最新試題
磁滯回線
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
等離子體
XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
光生伏特效應(yīng)
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
敏化劑
內(nèi)光電效應(yīng)