AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

等離子體

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

光生伏特效應(yīng)

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。