壓阻效應(yīng)指當半導體受到機械力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。
激光器最重要的部分是工作物質(zhì)，包括激活離子和基質(zhì)。
閃光燈或另一種激光器以及氣體放電激勵、化學激勵、核能激勵。
當原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
最新試題
內(nèi)光電效應(yīng)
XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
非本征光電導
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級
光生伏特效應(yīng)
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。